存储周期+自主可控，国产半导体设备迈入高速增长期！半导体设备ETF（561980）盘中涨超3%

1月14日上午，存储器与半导体设备“卷土重来”！受益于存储“超级周期”首份年报预增超500%提振，多家存储公司开盘大涨。上游半导体设备由于核心受益于存储需求高增，目前多股拉升。

高“设备”含量——半导体设备ETF（561980）盘中拉涨3.26%，实时成交额超1.4亿元，近期基金规模刚创新高。目前权重股中微公司涨超4%，海光信息涨超6%，拓荆科技、长川科技涨超5%，寒武纪、北方华创、中芯国际、南大光电等涨超1%；成份股江丰电子、珂玛科技等持续拉升。

消息面上，美国放宽了H200芯片出口到中国的监管规定，此前已“条件性”允许向中国出售H200人工智能芯片。关于H200的放开，多家机构认为对国产算力产业链影响非常有限，反而会提振国产替代信心。

此外，存储超级周期下的首份年报预告出炉，预计2025年净利润将大幅同比增长427.19%-520.22%，提振板块情绪。

从产业链来看，存储芯片属于半导体设备空间最大的下游市场之一。2025年-2026年存储价格持续上涨，TrendForce预估2026Q1一般型DRAM合约价还会季增55-60%，Server DRAM价格季增逾60%，NANDFlash各类产品合约价持续上涨33-38%。

【存储周期+自主可控，国产半导体设备有望持续高增】

招商证券指出，需求爆发+技术升级驱动半导体行业进入新一轮周期，供需错配带动存储持续涨价。

①需求端，NV推出新存储平台，AI存储需求持续升级。

2026年1月6日，新一代Rubin AI平台推出，其中，BlueField-4为推理上下文内存存储平台，预计在每个GPU原有1TB内存基础上，额外增加16TB内存，NVL72机架预计将增加1152TB内存，有望带动NAND需求进一步增长。

②供给端，供需缺口带动26Q1存储产品价格持续上涨。

目前国际头部存储芯片厂将主要产能转向HBM、DDR5等适配AI和数据中心的高端芯片，但维持较为克制的扩产策略，同时大幅削减DDR4等传统存储芯片的产能，供给收紧导致存储价格持续提升。

更重要的是，2025年12月国内存储龙头获得IPO受理，其为全球第四、中国第一DRAM原厂，本次上市拟募资295亿元投向量产线技改、下一代技术升级及前瞻研发，预计2027年底完成大部分设备导入，有望带动国产设备需求和份额提升。

上游半导体设备国产化率较低，自主可控诉求迫切。根据MIR，2024年中国晶圆制造设备综合本土化率25%，其中光刻机、量检测设备、涂胶显影机的国产化率较低，分别为

半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，高度聚焦半导体产业链中技术壁垒最高、价值最集中的上游环节，“设备”含量近60%。指数前十大权重股集中度接近80%，覆盖中微公司(刻蚀设备)、北方华创(多领域设备)、中芯国际(制造龙头)、海光信息、寒武纪(AI芯片设计)、南大光电（半导体材料）等细分龙头，设备+材料+芯片设计三行业占比超90%，或为国产替代攻坚产业链，成长空间广阔。

半导体设备ETF（561980）标的指数多阶段表现

截至上周五，中证半导2018以来最大涨幅超640%（上一轮半导体周期至今），弹性明显优于中证全指半导体、中华半导体芯片、国证芯片等同类半导体指数中均位列第一。2025年至今，指数上涨超87%，亦优于同类指数，显示长投短投或均更具阿尔法。

风险提示：基金有风险，投资需谨慎。

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