存储供需紧俏与HBM量产在即，国产替代进程加速，科创芯片ETF（588200）成长动力充足

2月9日，据数据显示，截至14:45，上证指数上涨1.33%，科创芯片上涨3.55%，个股方面，芯原股份涨超15%，仕佳光子涨超10%，复旦微电涨超9%，晶合集成涨超7%，峰岹科技、中船特气涨超6%。

热门ETF方面，科创芯片ETF（588200）涨3.55%，盘中成交额达25.10亿元，换手率达5.17%。同花顺数据显示，该基金近1年涨67.58%。

消息面上，2月9日，华邦电子透露，一季度DRAM合约价大涨近5成，高雄路竹厂新增DDR4、LPDDR4产能已全部售罄，当前及未来新增产能均被预购一空，订单可见度延伸至2028年，其NORFlash和SLCNAND也处于供需紧俏状态，价格持续上扬，下游客户出现抢货、降规采购现象；同日，三星电子计划本月第三周启动HBM4量产，产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台VeraRubin，有望带动相关芯片产业链需求提升。据2月8日光明日报报道显示，北京大学彭海琳教授团队研制出全球首个晶圆级超薄铋基二维铁电氧化物，构建的高速铁电晶体管综合性能超工业级标准，实现存算一体新突破。

国金证券指出，算力供给仍处紧平衡状态，谷歌云积压订单达2440亿美元、同比增长40%，亚马逊Trainium3芯片产能已“完全售罄”，下一代Trainium4预计年中即被几乎全部预订，ASIC芯片进入爆发式拉货阶段，国产算力芯片及配套产业链有望深度受益。

科创芯片ETF（588200）当前管理费率为0.50%（每年），托管费率为0.10%（每年），场外联接基金为017469.OF、017470.OF。