存储涨价潮延续，国产DRAM良率突破，科创芯片ETF（588200）一键布局产业链机遇

2月26日，据上交所数据显示，截至14：20，上证指数下跌0.18%，科创芯片指数上涨1.31%，个股方面，寒武纪 - U 涨超 7%，芯原股份涨超 4%.

热门ETF方面，科创芯片ETF（588200）涨1.23%，盘中成交额达24.70亿元，换手率达5.09%。同花顺数据显示，该基金近1年涨60.19%。

消息面上，2 月 26 日，SK 海力士透露 2026 年存储芯片因 AI 需求爆发及产能制约，全年供应紧张且持续涨价，HBM 产能已提前售罄；三星电子 1c nm 制程 DRAM 良率达 80%，HBM4 良率接近 60%，3 月将停产 2D NAND 闪存转产高端内存。2 月 25 日，香港特区政府公布财政预算案，投入超十五亿港元支持半导体芯片技术及设备企业，微电子研发院第三代半导体中试线年内运作；国内长江存储 232 层 3D NAND 实现量产，长鑫存储 19nm DDR4 内存良率突破 85%，LPDDR5X 内存进入国内 AI 服务器供应链。多家头部手机品牌拟 3 月初集体调价，智能手机存储芯片采购成本较去年同期上涨超 80%。

兴业证券指出，2026 年存储行业难形成规模化有效供给，国内存储芯片设计、模组厂商及半导体设备、封测企业均受益。东吴证券表示，AI 应用迭代推动端侧硬件需求攀升，带动芯片制程与架构持续革新。野村看好存储器超级周期及 AI 资本支出链盈利，上调韩国综指目标至 8000 点，科创芯片板块在技术突破与需求驱动下迎来发展机遇。

科创芯片ETF（588200）跟踪上证科创板芯片指数，前十大权重股分别为海光信息、中芯国际、澜起科技、寒武纪、中微公司、芯原股份、拓荆科技、佰维存储、华虹公司、华海清科，权重合计超58.21%。

科创芯片ETF（588200）当前管理费率为0.50%（每年），托管费率为0.10%（每年），场外联接基金为017469.OF、017470.OF。